特征

工作電源電壓為8至52 V

5.6 A輸出峰值電流（2.8 A DC）

RDS（開(kāi)）0.3典型值。Tj值=25攝氏度

工作頻率高達(dá)100 KHz

可編程高壓側(cè)過(guò)電流檢測(cè)和保護(hù)

診斷輸出

并聯(lián)運(yùn)行

交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)

熱關(guān)機(jī)

欠壓鎖定

集成快速自由轉(zhuǎn)動(dòng)二極管

應(yīng)用

雙極步進(jìn)電機(jī)

雙或四直流電機(jī)

說(shuō)明

L6206設(shè)備是DMOS雙全橋?yàn)殡姍C(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)在BCD技術(shù)中CMOS雙極型DMOS功率晶體管電路在同一芯片上。提供于PowerDIP24（20+2+2）、PowerSO36和SO24（20+2+2）包，L6206設(shè)備特點(diǎn)熱關(guān)機(jī)和非耗散高壓側(cè)電源過(guò)電流檢測(cè)MOSFET加上診斷輸出易于實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)。

1.安裝在多層FR4 PCB上，其底部的散熱銅表面為6 cm2（厚度為35μm）。

2.安裝在多層FR4 PCB上，其頂部的散熱銅表面為6 cm2（厚度為35μm）。

3.安裝在多層FR4 PCB上，其頂部的散熱銅表面為6 cm2（厚度為35μm），16個(gè)通孔和一個(gè)底層。

4.安裝在多層FR4 PCB上，板上沒(méi)有任何散熱面。

電氣特性

表5。電氣特性（除非另有規(guī)定，否則環(huán)境溫度=25°C，Vs=48 V）

表5。電氣特性（環(huán)境溫度=25°C，Vs=48 V，除非另有規(guī)定）（續(xù)）

1.在25°C的限制范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試，并通過(guò)特性驗(yàn)證。

2.見(jiàn)圖3：開(kāi)關(guān)特性定義。

3.見(jiàn)圖4：過(guò)電流檢測(cè)定時(shí)定義。

電路描述

功率級(jí)和充電泵

L6206器件集成了兩個(gè)獨(dú)立的功率MOS全橋。每個(gè)功率MOS具有Rds（ON）=0.3（25°C時(shí)的典型值），具有固有的快速續(xù)流二極管。十字架通過(guò)在開(kāi)關(guān)關(guān)閉之間使用一個(gè)死區(qū)時(shí)間（td=1μs，典型值）實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)保護(hù)在一個(gè)橋臂上接通兩個(gè)功率MOS。使用N溝道功率MOS作為橋上晶體管需要柵極驅(qū)動(dòng)電壓高于電源電壓。獲得引導(dǎo)（VBOOT）電源通過(guò)一個(gè)內(nèi)部振蕩器和幾個(gè)外部元件來(lái)實(shí)現(xiàn)電荷泵電路如圖5所示。振蕩器輸出（VCP）是600 kHz（典型）的方波10 V振幅。顯示了充電泵電路的建議值/零件號(hào)在表6中

邏輯輸入

引腳IN1A、IN2A、IN1B、IN2B、ENA和ENB是TTL/CMOS兼容的邏輯輸入。這個(gè)內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖6所示。開(kāi)啟和關(guān)閉閾值的典型值為Vth（開(kāi)）=1.8 V，Vth（關(guān)）=1.3 V。引腳ENA和ENB通常用于實(shí)現(xiàn)過(guò)電流和熱保護(hù)將它們分別連接到輸出OCDA和OCDB，這兩個(gè)輸出是開(kāi)漏的輸出。如果選擇這種連接方式，在驅(qū)動(dòng)這些連接時(shí)需要小心別針。圖7和圖8顯示了兩種配置。如果由明渠驅(qū)動(dòng)（集電極）結(jié)構(gòu)、上拉電阻REN和電容CEN連接如所示圖7。如果驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的推挽結(jié)構(gòu)，電阻REN和電容CEN的連接如圖8所示。電阻REN應(yīng)選擇在該范圍內(nèi)從2.2 k到180 k。REN和CEN的建議值分別為100 K和5.6 nF。有關(guān)選擇值的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)第5.3節(jié)：非耗散過(guò)電流檢測(cè)和保護(hù)。

無(wú)耗散過(guò)電流檢測(cè)與保護(hù)

除PWM電流控制外，還集成了過(guò)電流檢測(cè)電路（OCD）。該電路可用于提供對(duì)地短路或?qū)Φ囟搪返谋Ｗo(hù)橋的兩相以及負(fù)載電流的粗略調(diào)節(jié)。用這個(gè)內(nèi)部過(guò)電流檢測(cè)，通常使用的外部電流檢測(cè)電阻器及其消除了相關(guān)的功耗。圖9顯示了橋A的過(guò)電流檢測(cè)電路。橋B具有模擬電路。為了實(shí)現(xiàn)過(guò)電流檢測(cè)，一種傳感元件，它提供一個(gè)小而精確的每個(gè)高邊功率MOS實(shí)現(xiàn)了輸出電流的一部分。從這以后電流是輸出電流的一小部分，幾乎沒(méi)有額外的功率消散。該電流與內(nèi)部參考電流IREF進(jìn)行比較。當(dāng)當(dāng)OCD比較器發(fā)出故障信號(hào)時(shí)，輸出電流達(dá)到檢測(cè)閾值條件。當(dāng)檢測(cè)到故障情況時(shí)，內(nèi)部開(kāi)漏MOS具有下拉打開(kāi)連接到OCD引腳的4毫安容量。圖10顯示了OCD操作。該信號(hào)可用于調(diào)節(jié)輸出電流，只需將OCD引腳連接至如圖9所示。恢復(fù)前的休息時(shí)間正常操作可通過(guò)邏輯輸入。因此，可通過(guò)電流檢測(cè)和IREF選擇輸出閾值，根據(jù)以下方程式：

顯示輸出電流保護(hù)閾值與5k.范圍內(nèi)的RCL值至40 k.。恢復(fù)正常操作前禁用時(shí)間t可以通過(guò)邏輯輸入的精確閾值的方法。是否受岑、仁的影響值及其大小如圖12所示。關(guān)閉前的延遲時(shí)間t當(dāng)檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，電橋僅取決于CEN值。它震級(jí)如圖13所示。

CEN還可用于為引腳EN提供抗快速瞬態(tài)噪聲的抗擾度。因此CEN值應(yīng)根據(jù)最大容許值選擇盡可能大的值延遲時(shí)間和REN值應(yīng)根據(jù)所需的禁用時(shí)間進(jìn)行選擇。電阻器REN應(yīng)選擇在2.2 K到180 K的范圍內(nèi)。推薦REN和CEN的值分別為100 K和5.6 nF，允許獲得200μs禁用時(shí)間。

熱防護(hù)

除了過(guò)電流檢測(cè)，L6206設(shè)備還集成了熱保護(hù)防止結(jié)溫過(guò)高時(shí)損壞器件。它能感應(yīng)到模具溫度通過(guò)集成在模具中的敏感元件實(shí)現(xiàn)。當(dāng)結(jié)溫達(dá)到165°C（典型。滯后值（典型值15°C）。價(jià)值）

申請(qǐng)信息

使用L6206設(shè)備的典型應(yīng)用如圖14所示。典型部件應(yīng)用程序的值如表8所示。高品質(zhì)陶瓷電容器應(yīng)在電源插腳（VSA和VSB）與附近地面之間放置100至200 nFL6206裝置改善了高頻濾波對(duì)電源的影響，降低了對(duì)電源的干擾開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的高頻瞬態(tài)。電容器從ENA/OCDA和ENB/OCDB節(jié)點(diǎn)接地設(shè)置橋接器A和當(dāng)檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，分別橋接B（見(jiàn)第5.3節(jié)：非耗散過(guò)電流檢測(cè)和保護(hù)第13頁(yè)）。兩個(gè)電流源（SENSEA和傳感器B）應(yīng)連接至電源接地，其跡線長(zhǎng)度應(yīng)盡可能短布局。為了提高抗擾度，未使用的邏輯管腳最好連接到5 V（高邏輯電平）或GND（低邏輯電平）（見(jiàn)第6頁(yè)表4：引腳說(shuō)明）。它是建議在PCB上保持電源接地和信號(hào)接地分開(kāi)。

并聯(lián)運(yùn)行

L6206器件的輸出可以并聯(lián)，以提高輸出電流能力或者在給定的電流水平下降低設(shè)備的功耗。必須指出，但是，內(nèi)部的電線連接從模具到電源或感測(cè)管腳組件必須在兩個(gè)相關(guān)的半橋中承載電流。當(dāng)兩半一個(gè)全橋（例如OUT1A和OUT2A）并聯(lián)連接，峰值電流額定值沒(méi)有增加，因?yàn)榭傠娏鞅仨毴匀涣鬟^(guò)一根連接線電源或感應(yīng)管腳。此外，過(guò)電流檢測(cè)還檢測(cè)每個(gè)橋（A或B）上部裝置中的電流，因此連接一個(gè)橋的兩半并聯(lián)橋不會(huì)增加過(guò)電流檢測(cè)閾值。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，建議的配置是橋A并聯(lián)的半橋1對(duì)于橋B的半橋1，對(duì)于半橋2也是如此，如中所示圖15。并聯(lián)的兩個(gè)設(shè)備中的電流將很好地共享，因?yàn)橥恍酒系脑O(shè)備的RDS（ON）匹配良好。當(dāng)在這種配置中連接過(guò)電流檢測(cè)電路時(shí)，該電路檢測(cè)每個(gè)電橋（A和B）中的電流將感應(yīng)到連接在獨(dú)立并聯(lián)，閾值最低的檢測(cè)電路將首先跳閘。和啟用并聯(lián)連接，第一次檢測(cè)到上部DMO中的過(guò)電流裝置將使兩座橋都轉(zhuǎn)彎。假設(shè)兩個(gè)DMOS設(shè)備共享電流同樣，產(chǎn)生的過(guò)電流檢測(cè)閾值將是最小閾值的兩倍由圖15中的電阻RCLA或RCLB設(shè)置。建議使用RCLA=RCLB。在此配置中，生成的網(wǎng)橋具有以下特征：

等效裝置：全橋

RDS（開(kāi)）0.15典型值。TJ=25°C時(shí)的值

5.6 A最大均方根負(fù)載電流

最大OCD閾值11.2 A

也可以將四個(gè)半橋并聯(lián)以獲得簡(jiǎn)單的半橋，如中所示圖17。在此配置中，過(guò)電流閾值等于最小值的兩倍由圖17中電阻RCLA或RCLB設(shè)置的閾值。建議使用RCLA=RCLB。由此產(chǎn)生的半橋具有以下特征：

等效裝置：半橋

RDS（開(kāi)）0.075。典型值。TJ=25°C時(shí)的值

5.6 A最大均方根負(fù)載電流

最大OCD閾值11.2 A

輸出電流能力與集成電路功耗

圖18和圖19顯示了輸出電流之間的近似關(guān)系而IC功耗采用PWM電流控制驅(qū)動(dòng)兩個(gè)負(fù)載，針對(duì)兩個(gè)不同的負(fù)載駕駛類型：

一次打開(kāi)一個(gè)完整的橋架（圖18），一次只有一個(gè)負(fù)載通電。

兩座全橋同時(shí)開(kāi)啟（圖19），其中兩個(gè)荷載同時(shí)加載通電。

對(duì)于給定的輸出電流和驅(qū)動(dòng)類型，集成電路可以很容易地消耗功率評(píng)估，以確定應(yīng)使用哪個(gè)包以及該包的大小板載銅散熱區(qū)，以保證安全的工作結(jié)溫（最高125°C）。

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